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分子閃存可以存儲大量的數據

發布:2014/11/22 14:12:53

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來源:光波網

來自科學家新的消息稱,新型分子可以幫助超出其存儲限制閃存的功能,它允許在小空間里面記錄海量的數據。一種稱為金屬氧化物簇的物質是可以保留電荷的,并作為RAM可構成閃存用于數據單元在新的基礎上,從化學工程與羅維拉我維爾吉利大學在西班牙格拉斯哥學院大學的研究人員在發表的信中顯示。

 


  本研究小組的13位研究人員稱,多金屬氧酸鹽(POM)的分子可以充當MOS閃速存儲器的存儲節點。他們用鎢合成POM金屬氧化物團簇,并添加硒到自己的核心中,這種被稱為摻雜過程,以創建一個新的類型的內存,他們稱之為“一次寫入”。
  該研究涉及數據單元的閃速存儲器的大小,因而被廣泛應用于移動設備,例如智能電話,存儲棒和相機的極限存儲方面。

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